PMN-PT substraat
Kirjeldus
PMN-PT kristall on tuntud oma ülikõrge elektromehaanilise sidestusteguri, kõrge piesoelektrilise koefitsiendi, suure deformatsiooni ja väikese dielektrilise kao poolest.
Omadused
| Keemiline koostis | (PbMg 0,33 Nb 0,67)1-x: (PbTiO3)x |
| Struktuur | R3m, romboeder |
| Võre | a0 ~ 4,024Å |
| Sulamistemperatuur (℃) | 1280 |
| Tihedus (g/cm3) | 8.1 |
| Piesoelektriline koefitsient d33 | >2000 pC/N |
| Dielektriline kadu | tand<0,9 |
| Koosseis | morfotroopse faasi piiri lähedal |
PMN-PT substraadi määratlus
PMN-PT substraat viitab õhukesele kilele või vahvlile, mis on valmistatud piesoelektrilisest materjalist PMN-PT.See toimib erinevate elektrooniliste või optoelektrooniliste seadmete tugialusena või vundamendina.
PMN-PT kontekstis on substraat tavaliselt tasane jäik pind, millele saab kasvatada või ladestada õhukesi kihte või struktuure.PMN-PT substraate kasutatakse tavaliselt selliste seadmete valmistamiseks nagu piesoelektrilised andurid, täiturmehhanismid, muundurid ja energiakogujad.
Need substraadid pakuvad stabiilset platvormi täiendavate kihtide või struktuuride kasvatamiseks või ladestamiseks, võimaldades PMN-PT piesoelektrilisi omadusi seadmetesse integreerida.PMN-PT substraatide õhukese kilega või vahvli kujul saab luua kompaktseid ja tõhusaid seadmeid, mis saavad kasu materjali suurepärastest piesoelektrilistest omadustest.
Seotud tooted
Kõrge võre sobitamine viitab võrestruktuuride joondamisele või sobitamisele kahe erineva materjali vahel.MCT (elavhõbeda kaadmiumtelluriid) pooljuhtide kontekstis on kõrge võre sobivus soovitav, kuna see võimaldab kasvatada kvaliteetseid defektideta epitaksiaalkihte.
MCT on liitpooljuhtmaterjal, mida tavaliselt kasutatakse infrapunadetektorites ja pilditöötlusseadmetes.Seadme jõudluse maksimeerimiseks on ülioluline kasvatada MCT epitaksiaalseid kihte, mis vastavad täpselt aluseks oleva substraadi materjali (tavaliselt CdZnTe või GaAs) võrestruktuurile.
Saavutades kõrge võre sobitamise, paraneb kristallide joondamine kihtide vahel ning liidese defektid ja pinge vähenevad.See toob kaasa parema kristallikvaliteedi, paremad elektrilised ja optilised omadused ning seadme parema jõudluse.
Kõrge võre sobitamine on oluline selliste rakenduste jaoks nagu infrapunapildistamine ja -tuvastus, kus isegi väikesed defektid või puudused võivad seadme jõudlust halvendada, mõjutades selliseid tegureid nagu tundlikkus, ruumiline eraldusvõime ja signaali-müra suhe.
